MOSFETs
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Bauform - Transistor: TO-220AB
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10V
Schwellenspannung Vgs: 2V
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TRIAC 16A 600V
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Buck Schaltregler IC Positiv Einstellbar 0,8V 1 Ausgang 1,5A 10-PowerTFSOP, 10-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)
N-Kanal 30 V 16 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: P-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 5,8mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 280 nC @ 10 V
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 4,7mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 220 nC @ 10 V
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Hersteller: onsemi
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 4,7mOhm bei 50A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 220 nC @ 10 V
Ausverkauft
The 2SJ607 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for high current switching applications.
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N-Kanal-MOSFET, International Rectifier
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