Hersteller: Renesas Electronics America Inc
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 16 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 7mOhm bei 8A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 1740 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montagetyp: Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten: 8-SOP
Gehäuse / Hülle: 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer: RJK0354
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Burgwald, Deutschland, 35099
info@akkuplus.de
https://www.akkuplus.de
verantwortliche Person:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Hessen
Burgwald, Deutschland, 35099
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