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Abmessungen |
10.66 x 4.82 x 9.02mm |
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Anzahl der Elemente pro Chip |
1 |
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Betriebstemperatur max. |
+175 °C |
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Betriebstemperatur min. |
-55 °C |
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Breite |
4.82mm |
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Channel Mode |
Enhancement |
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Channel-Typ |
N |
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Dauer-Drainstrom max. |
170 A |
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Drain-Source-Spannung max. |
75 V |
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Drain-Source-Widerstand max. |
0,004 O |
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Eingangskapazität typ. @ Vds |
6920 pF @ 50 V |
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Gate-Ladung typ. @ Vgs |
120 nC @ 10 V |
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Gate-Source Spannung max. |
±20 V |
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Gehäusegröße |
TO-220AB |
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Höhe |
9.02mm |
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Kategorie |
Leistungs-MOSFET |
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Konfiguration |
Single |
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Länge |
10.66mm |
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Maximale Gate-Schwellenspannung |
4V |
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Minimale Gate-Schwellenspannung |
2V |
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Montage-Typ |
Durchsteckmontage |
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Pinanzahl |
3 |
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Typical Turn-Off Delay Time |
55 ns |
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Typical Turn-On Delay Time |
20 ns |
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Verlustleistung max. |
300 W |
Angaben zur Produktsicherheit
verantwortliche Person:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Hessen
Burgwald, Deutschland, 35099
info@akkuplus.de
https://www.akkuplus.de