Hersteller: Goford Semiconductor
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 113 nC @ 10 V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 5538 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.): 160W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp: Oberflächenmontage
Gehäusetyp des Herstellers: TO-252
Gehäuse / Hülle: TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Burgwald, Deutschland, 35099
info@akkuplus.de
https://www.akkuplus.de
verantwortliche Person:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Hessen
Burgwald, Deutschland, 35099
info@akkuplus.de
https://www.akkuplus.de