Infineon
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W
Status der Komponente: Aktiv
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 3,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 2,35V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 54nC @ 4,5V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 5110pF @ 15V
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp: Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-220AB
Gehäuse / Hülle: TO-220-3
Produktstatus Nicht für Neukonstruktionen
Typ Transceiver
Protokoll CANbus
Anzahl der Treiber/Empfänger 1/1
Duplex Halb
Empfänger-Hysterese 100 mV
Datenrate -
Spannung - Versorgung 4,75V bis 5,25V
Betriebstemperatur -
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 14-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)