Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein im Jahr 1999 durch die Ausgliederung des Halbleitergeschäfts der Siemens AG über einen Börsengang im Jahr 2000 entstandener deutscher Halbleiterhersteller. Die Unternehmenszentrale Campeon befindet sich seit Ende 2005 in der Gemeinde Neubiberg.
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W
Status der Komponente: Aktiv
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 3,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 2,35V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 54nC @ 4,5V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 5110pF @ 15V
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp: Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-220AB
Gehäuse / Hülle: TO-220-3
Produktstatus Nicht für Neukonstruktionen
Typ Transceiver
Protokoll CANbus
Anzahl der Treiber/Empfänger 1/1
Duplex Halb
Empfänger-Hysterese 100 mV
Datenrate -
Spannung - Versorgung 4,75V bis 5,25V
Betriebstemperatur -
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 14-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)