MOSFET IRLB4132PBF
Status der Komponente: Aktiv
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs: 3,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id: 2,35V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs: 54nC @ 4,5V
Vgs (Max.): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 5110pF @ 15V
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp: Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten: TO-220AB
Gehäuse / Hülle: TO-220-3
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Burgwald, Deutschland, 35099
info@akkuplus.de
https://www.akkuplus.de
verantwortliche Person:
AkkuPlus GmbH & Co. KG
Hauptstr. 22
Hessen
Burgwald, Deutschland, 35099
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