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Hersteller: Goford Semiconductor
FET-Typ: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C: 110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 4,5V, 10V
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